성장하고 개발하는 계란의 이야기

Transistor Impedance 트랜지스터 저항의 세 가지 룰 베이스(Base)에서의 저항의 크기는 에미터(Emitter)가 접지(AC 신호)되었을 경우 rπ이다. 컬렉터(Collector)에서의 저항의 크기는 에미터가 접지되었을 경우 r0이다. (Early effect를 고려하였을 때 트랜지스터의 고유저항 값) 에미터에서의 저항의 크기는 베이스가 접지되어있으며 Early effect를 무시할 경우 1/gm이다. 여기서 gm은 Transconductance(전압에 따른 전류 변화율)를 의미한다. Amplifier Topology Possible Topology Common-Emitter Topology 에미터가 GND에 연결되어 있으며 베이스가 입력, 컬렉터가 출력이 된 구조이다. 전압이득(Av)은..

Bipolar Transistor bipolar transistor는 세 개의 도핑된 SI 영역을 합하여 만들어졌다. 바깥의 두 개의 영역은 같은 극으로 도핑되어 있으며 가운데는 그와 반대되는 극으로 도핑되어 있다. Bipolar transistor는 이미터(Emitter), 베이스(Base), 컬렉터(Colllector) 세 개의 영역으로 나뉜다. Bipolar Transistor는 BJT(Bipolar Junction Transistor)라고 표현하기도 한다. BJT는 npn형과 pnp형으로 나누어진다. 동작영역 cutoff, forward active , saturation 4개의 동작 영역이 존재한다. BJT의 특징 1. 이미터의 도핑농도가 배이스보다 크다. 2. 배이스의 영역의 크기는 매무 얇다..