[전자회로 개념정리] Bipolar Amplifier

Transistor Impedance 

small signal analysis

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트랜지스터 저항의 세 가지 룰 

 

1. 베이스(Base)에서의 저항의 크기는 에미터(Emitter)가 접지(AC 신호)되었을 경우 rπ이다.
2. 컬렉터(Collector)에서의 저항의 크기는 에미터가 접지되었을 경우 r0이다. (Early effect를 고려하였을 때 트랜지스터의 고유저항 값)
3. 에미터에서의 저항의 크기는 베이스가 접지되어있으며 Early effect를 무시할 경우 1/gm이다. 여기서 gm은 Transconductance(전압에 따른 전류 변화율)를 의미한다. 

 

Amplifier Topology

Possible Topology

입력

출력

 

 

 

Common-Emitter Topology

 에미터가 GND에 연결되어 있으며 베이스가 입력, 컬렉터가 출력이 된 구조이다. 

early effect를 고려하지 않은 small signal model

전압이득(Av)은 다음과 같다. 

 

만약 early effect를 고려하여 다시 계산한다면 아래와 같다. 

 

Common-Base Topology

 

베이스를 GND에 연결하고 에미터에 입력을 인가하고 컬렉터에서 출력하는 구조이다.  

Emitter Follower( Topology)

컬렉터에 고정전압을 인가하고 베이스에 신호를 입력하고 이미터에서 출력하는 구조이다.