성장하고 개발하는 계란의 이야기

Transistor Impedance 트랜지스터 저항의 세 가지 룰 베이스(Base)에서의 저항의 크기는 에미터(Emitter)가 접지(AC 신호)되었을 경우 rπ이다. 컬렉터(Collector)에서의 저항의 크기는 에미터가 접지되었을 경우 r0이다. (Early effect를 고려하였을 때 트랜지스터의 고유저항 값) 에미터에서의 저항의 크기는 베이스가 접지되어있으며 Early effect를 무시할 경우 1/gm이다. 여기서 gm은 Transconductance(전압에 따른 전류 변화율)를 의미한다. Amplifier Topology Possible Topology Common-Emitter Topology 에미터가 GND에 연결되어 있으며 베이스가 입력, 컬렉터가 출력이 된 구조이다. 전압이득(Av)은..

CMOS(Complementary MOS) MOSFET은 대표적으로 nMOS와 pMOS 두 가지 종류로 나뉘어집니다. 이때 nMOS는 gate에 양 전압을 인가하여 동작시키며 이때 입력신호의 low level은 손실없이 drain에 그대로 출력되지만 high level의 경우 문턱전압(Vth)만큼 손실이 발생하여 출력된다. pMOS는 nMOS와 반댈 음 전압을 인가하여 동작시키며 이때 입력신호의 high level은 손실없이 그대로 출력하나 low level은 Vth만큼 증가하여 출력된다. 이 두가지 소자의 특성을 보완하여 만든 소자가 CMOS소자이다. CMOS는 위와 같이 nMOS와 pMOS 두 가지 소자로 구성되어 있으며 입력이 high level일 때, pMOS를 통하여 출력하고 low level일..